机译:40 keV电子辐照的a-Si:H单结p-i-n太阳能电池的实测和模拟暗J-V特性
机译:通过分析暗电流和负载电流-电压(IV)评估薄膜单结(a-Si:H)和串联(μc-Si:H + a-Si:H)太阳能电池的转换效率特点
机译:气体耗尽对以10埃/秒沉积i层的直流等离子体沉积的a-Si单结p-i-n太阳能电池的影响
机译:基于单结的p-i-n层提高a-Si:H太阳能电池效率的研究
机译:测量和模拟暗J-V的A-Si:H单结P-I-N太阳能电池,用40keV电子照射
机译:薄膜A-Si的光谱椭圆形研究:H / NC-Si:H MicroMorph太阳能电池制造在P-I-N超级型配置
机译:在SBA-15介孔二氧化硅-二氧化钛上的AuCu基催化剂上在黑暗和模拟的太阳光照射下氢气中CO优先发生光氧化。
机译:在大面积单室PECVD反应器中制备的具有低硼交叉污染的高效p-i-n a-Si:H太阳能电池
机译:用40keV电子辐照的a-si:H单结p-i-n太阳能电池的测量和模拟暗J-V特性